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【新闻】48层堆叠单芯片256GbTOSHIBA东芝成功研发BiCS3DTLC闪存芯片

发布时间:2021-01-08 09:53:09 阅读: 来源:衬塑设备厂家

今年上半年,我们报道过各大闪存厂商相继成功研发3D闪存的消息,当时intel(英特尔)和Micron(镁光)这对好基友虽然在研发成功的时间上晚于SAMSUNG(三星),但是同样是32层的结构能够塞进更大的容量,TLC规格下单Die能够做到48GB,能够让2.5英寸大小的固态硬盘能够拥有10TB容量。现在闪存行业当中三大集团的另外一方TOSHIBA(东芝)与SanDisk(闪迪)也取得了新突破:东芝今天正式发布了256Gb容量、48层堆叠结构的BiCS闪存芯片,仍然是TLC规格。

今后几年TLC规格的固态硬盘代替机械硬盘是大势所趋,随着3D闪存的大面积商用,闪存芯片的存储密度和容量都会不断增高,而成本随之下降,所以不久之后4TB乃至10TB的固态硬盘也不会少见吧。东芝的BiCS闪存芯片将于2016年开始量产,为此他们还建设了一个新的晶圆厂,这家晶圆厂将于2016年上半年竣工,所以我们要见到具体的产品至少也要2016年下半年了。

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